Объявления:
ОКС Общероссийский классификатор стандартов 31 ЭЛЕКТРОНИКА 31.080 Полупроводниковые приборыПолупроводниковые приборы
Полупроводниковые материалы см.: 29.045 Подкатегории категории Полупроводниковые приборы:
Полупроводниковые приборы в целом Диоды Тиристоры Транзисторы Полупроводниковые приборы прочие | ГОСТ 19656.4-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1975 | Страниц: 9 |
| ГОСТ 18986.13-74 Диоды полупроводниковые туннельные. Методы измерения пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1976 | Страниц: 7 |
| ГОСТ 18986.5-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени выключения | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1975 | Страниц: 7 |
| ГОСТ 18986.7-73 Диоды полупроводниковые. Методы измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1975 | Страниц: 6 |
| ГОСТ 19138.4-73 Тиристоры. Метод измерения времени включения, нарастания и задержки | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1975 | Страниц: 4 |
| ГОСТ 15172-70 Транзисторы. Перечень основных и справочных электрических параметров | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1970 | Страниц: 9 |
| ГОСТ 28624-90 Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1991 | Страниц: 27 |
| ГОСТ 20859.1-89 Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1990 | Страниц: 34 |
| ГОСТ 27264-87 Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1988 | Страниц: 19 |
| ГОСТ 18986.11-84 Диоды полупроводниковые. Методы измерения последовательного сопротивления потерь | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1985 | Страниц: 8 |
| ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1982 | Страниц: 14 |
| ГОСТ 24352-80 Излучатели полупроводниковые. Основные параметры | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1982 | Страниц: 4 |
| ГОСТ 19656.14-79 Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения критической частоты | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1981 | Страниц: 6 |
| ГОСТ 18604.14-77 Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Метод измерения модуля коэффициента обратной передачи напряжения в схеме с общей базой на высокой частоте | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1978 | Страниц: 4 |
| ГОСТ 18604.10-76 Транзисторы биполярные. Метод измерения входного сопротивления | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1978 | Страниц: 7 |
| ГОСТ 20398.7-74 Транзисторы полевые. Методы измерения порогового напряжения и напряжения отсечки | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1976 | Страниц: 2 |
| ГОСТ 18604.7-74 Транзисторы. Метод измерения коэффициента передачи тока | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1976 | Страниц: 8 |
| ГОСТ 18986.10-74 Диоды полупроводниковые. Методы измерения индуктивности | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1976 | Страниц: 6 |
| ГОСТ 19656.2-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения выпрямленного тока | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1975 | Страниц: 3 |
| ГОСТ 19656.0-74 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения электрических параметров. Общие положения | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1975 | Страниц: 4 |
