Нормативные документы размещены исключительно с целью ознакомления учащихся ВУЗов, техникумов и училищ.
Объявления:
  ОКС Общероссийский классификатор стандартов
  31 ЭЛЕКТРОНИКА
  31.080 Полупроводниковые приборы

Полупроводниковые приборы

Полупроводниковые материалы см.: 29.045
Искать в Полупроводниковые приборы
Искать!
Подкатегории категории Полупроводниковые приборы:
Полупроводниковые приборы в целом
Диоды
Тиристоры
Транзисторы
Полупроводниковые приборы прочие

Содержит 131 документов
Страницы: « 1 2 3 4 5 6 7 »

ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения
Дата актуализации текста: 01.08.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 01.08.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1982Страниц: 7
ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры
Дата актуализации текста: 01.08.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 01.08.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1982Страниц: 14
ГОСТ 24352-80 Излучатели полупроводниковые. Основные параметры
Дата актуализации текста: 01.08.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 01.08.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1982Страниц: 4
ГОСТ 18577-80 Устойства термоэлектрические полупроводниковые. Термины и определения
Дата актуализации текста: 01.08.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 01.08.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 30.06.1981Страниц: 10
ГОСТ 24173-80 Тиристоры. Основные параметры
Дата актуализации текста: 01.08.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 01.08.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 30.06.1981Страниц: 4
ГОСТ 24041-80 Таситроны. Основные параметры
Дата актуализации текста: 01.08.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 01.08.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 30.06.1981Страниц: 3
ГОСТ 19834.4-79 Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения
Дата актуализации текста: 01.08.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 01.08.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 30.06.1981Страниц: 7
ГОСТ 23448-79 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры
Дата актуализации текста: 01.08.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 01.08.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1981Страниц: 11
ГОСТ 19656.14-79 Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения критической частоты
Дата актуализации текста: 01.08.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 01.08.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1981Страниц: 6
ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной времени и предельной частоты
Дата актуализации текста: 01.08.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 01.08.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1981Страниц: 18
ГОСТ 18986.21-78 Стабилитроны и стабисторы полупроводниковые. Метод измерения временной нестабильности напряжения стабилизации
Дата актуализации текста: 01.08.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 01.08.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1980Страниц: 6
ГОСТ 18986.22-78 Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения дифференциального сопротивления
Дата актуализации текста: 01.08.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 01.08.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1980Страниц: 8
ГОСТ 18604.22-78 Транзисторы биполярные. Методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер
Дата актуализации текста: 01.08.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 01.08.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1980Страниц: 7
ГОСТ 18604.20-78 Транзисторы биполярные. Методы измерения коэффициента шума на низкой частоте
Дата актуализации текста: 01.08.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 01.08.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1980Страниц: 6
ГОСТ 18604.16-78 Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала
Дата актуализации текста: 01.08.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 01.08.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 30.06.1979Страниц: 4
ГОСТ 18986.20-77 Стабилитроны полупроводниковые прецизионные. Метод измерения времени выхода на режим
Дата актуализации текста: 01.08.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 01.08.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1979Страниц: 11
ГОСТ 19656.13-76 Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Методы измерения тангенциальной чувствительности
Дата актуализации текста: 01.08.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 01.08.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 01.01.1979Страниц: 16
ГОСТ 18604.15-77 Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методы измерения критического тока
Дата актуализации текста: 01.08.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 01.08.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 30.06.1978Страниц: 4
ГОСТ 18604.13-77 Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методы измерения выходной мощности и определения коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора
Дата актуализации текста: 01.08.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 01.08.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 30.06.1978Страниц: 7
ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения
Дата актуализации текста: 01.08.2013Статус: действующий
Дата актуализации описания: 01.08.2013Тип документа: стандарт
Дата введения: 30.06.1978Страниц: 37
Страницы: « 1 2 3 4 5 6 7 »

Навигационное меню:

  ОКП
     Строительный каталог
2008-2013. ГОСТы, СНиПы, СанПиНы - Нормативные документы - стандарты. Полупроводниковые приборы, ЭЛЕКТРОНИКА, Общероссийский классификатор стандартов,