Объявления:
ОКС Общероссийский классификатор стандартов 31 ЭЛЕКТРОНИКА 31.080 Полупроводниковые приборыПолупроводниковые приборы
Полупроводниковые материалы см.: 29.045 Подкатегории категории Полупроводниковые приборы:
Полупроводниковые приборы в целом Диоды Тиристоры Транзисторы Полупроводниковые приборы прочие | ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1982 | Страниц: 7 |
| ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1982 | Страниц: 14 |
| ГОСТ 24352-80 Излучатели полупроводниковые. Основные параметры | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1982 | Страниц: 4 |
| ГОСТ 18577-80 Устойства термоэлектрические полупроводниковые. Термины и определения | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1981 | Страниц: 10 |
| ГОСТ 24173-80 Тиристоры. Основные параметры | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1981 | Страниц: 4 |
| ГОСТ 24041-80 Таситроны. Основные параметры | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1981 | Страниц: 3 |
| ГОСТ 19834.4-79 Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1981 | Страниц: 7 |
| ГОСТ 23448-79 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1981 | Страниц: 11 |
| ГОСТ 19656.14-79 Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения критической частоты | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1981 | Страниц: 6 |
| ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной времени и предельной частоты | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1981 | Страниц: 18 |
| ГОСТ 18986.21-78 Стабилитроны и стабисторы полупроводниковые. Метод измерения временной нестабильности напряжения стабилизации | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1980 | Страниц: 6 |
| ГОСТ 18986.22-78 Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения дифференциального сопротивления | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1980 | Страниц: 8 |
| ГОСТ 18604.22-78 Транзисторы биполярные. Методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1980 | Страниц: 7 |
| ГОСТ 18604.20-78 Транзисторы биполярные. Методы измерения коэффициента шума на низкой частоте | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1980 | Страниц: 6 |
| ГОСТ 18604.16-78 Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1979 | Страниц: 4 |
| ГОСТ 18986.20-77 Стабилитроны полупроводниковые прецизионные. Метод измерения времени выхода на режим | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1979 | Страниц: 11 |
| ГОСТ 19656.13-76 Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Методы измерения тангенциальной чувствительности | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1979 | Страниц: 16 |
| ГОСТ 18604.15-77 Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методы измерения критического тока | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1978 | Страниц: 4 |
| ГОСТ 18604.13-77 Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методы измерения выходной мощности и определения коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1978 | Страниц: 7 |
| ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1978 | Страниц: 37 |
