Объявления:
ОКП 620000 КОНДЕНСАТОРЫКОНДЕНСАТОРЫ
Подкатегории категории КОНДЕНСАТОРЫ:
Конденсаторы постоянной емкости керамические Конденсаторы постоянной емкости на основе стекла Конденсаторы постоянной емкости слюдяные Конденсаторы постоянной емкости пленочные с органическим синтетическим диэлектриком Конденсаторы постоянной емкости оксидные Конденсаторы прочие | ГОСТ 24460-80 Микросхемы интегральные цифровых устройств. Основные параметры | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1982 | Страниц: 4 |
| ГОСТ 24352-80 Излучатели полупроводниковые. Основные параметры | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1982 | Страниц: 4 |
| ГОСТ 28814-90 Микросхемы интегральные. Методы измерения электрических параметров схем управления импульсными стабилизаторами напряжения | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1992 | Страниц: 6 |
| ГОСТ 19834.0-75 Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1976 | Страниц: 6 |
| ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1984 | Страниц: 6 |
| ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1982 | Страниц: 7 |
| ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1982 | Страниц: 7 |
| ГОСТ 12.2.007.5-75 Система стандартов безопасности труда. Конденсаторы силовые. Установки конденсаторные. Требования безопасности | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1978 | Страниц: 7 |
| ГОСТ 19834.4-79 Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1981 | Страниц: 7 |
| ГОСТ 24613.9-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения временных параметров | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1984 | Страниц: 8 |
| ГОСТ 19834.3-76 Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1977 | Страниц: 9 |
| ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1976 | Страниц: 10 |
| ГОСТ 28217-89 Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 2. Испытания. Испытание Ес: Падение и опрокидование, предназначенное в основном для аппаратуры | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.03.1990 | Страниц: 11 |
| ГОСТ 18986.14-85 Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1986 | Страниц: 11 |
| ГОСТ 23448-79 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1981 | Страниц: 11 |
| ГОСТ 28884-90 Ряды предпочтительных значений для резисторов и конденсаторов | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1992 | Страниц: 12 |
| ГОСТ 30668-2000 Изделия электронной техники. Маркировка | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.2002 | Страниц: 12 |
| ГОСТ Р МЭК 60384-14-1-2004 Конденсаторы постоянной емкости для электронной аппаратуры. Часть 14-1. Форма технических условий на конденсаторы постоянной емкости для подавления электромагнитных помех и соединения с питающими магистралями. Уровень качества D | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.2005 | Страниц: 12 |
| ГОСТ Р 54436-2011 Требования к характеристикам камер для испытаний технических изделий на стойкость к внешним воздействующим факторам. Методы аттестации камер (с загрузкой) для испытаний на стойкость к воздействию влажности воздуха в циклическом режиме | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.2012 | Страниц: 12 |
| ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1982 | Страниц: 14 |
